三星、SK海力士开始研发EUV技术生产DRAM,最快2020年量产
发布日期:2018-10-07        



就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家存储器大厂SK海力士(Hynix)也传出消息,正在研发EUV技术来生产DRAM存储器,未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。

 

根据韩国媒体的报导,不论是处理器还是存储器,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的EUV极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说,以逻辑芯片的处理器产品来看,因为在制程节点推进到7纳米制程之后,对EUV技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程,未来也就越仰赖EUV技术。

 

报导指出,而反观DRAM存储器产业,目前对EUV技术需求相对来说就没有处理器来得那么殷切。原因是目前最先进的DRAM存储器制程依然在18纳米以上。所以,除了三星与海力士之外,全球三大存储器厂之一的美光,之前就表态表示,即使到了1α及1β的制程技术节点,也还没有使用EUV技术的必要性。

 

不同于美光的看法,三星在处理器的逻辑芯片制程导入EUV技术之后,在DRAM存储器制程上也传出开始在1Y纳米制程节点上尝试EUV技术,而且最快在2020年量产EUV技术的1Y纳米DRAM存储器。而除了三星之外,SK海力士也将在韩国的利川市新建的DRAM生产工厂中,研发内含EUV技术的DRAM存储器生产技术。

 

至于,为何要采用EUV技术来生产DRAM存储器,其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低存储器单位容量成本。不过,虽然DRAM存储器希望以EUV技术来进行生产。只是,目前在此领域EUV技术还不够成熟,产能不如普通的光刻机,这部分还需要时间来进行改进。 

 


来源:SEMI
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