DRAM价格将在第四季度迎来大跌?
发布日期:2018-10-12        



根据市调机构集邦科技记忆体储存研究DRAMeXchange最新调查,时序进入9月下旬,正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机,但受到位元产出持续增加,以及旺季需求并未明显增温的影响,价格走弱的态势更为明显,DRAM第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌1~3%扩大至约5%。

 

DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出,DRAM价格在过去9个季度期间大幅上扬,但从今年第三季起价格已经开始走弱,其中标准型PCDRAM与伺服器DRAM价格涨幅缩小至1~2%,行动式DRAM价格在旺季仅持平开出,绘图用DRAM更率先出现跌价。观察现货市场状况,价格从年初一路下滑,并在今年6月底开始正式低于合约价,而目前的现货价格已经低于合约价格约10%,显示后续合约价格仍将继续下跌。

 

从伺服器DRAM市场来观察,受惠于平台转换与资料中心建案挹注,伺服器需求比往年来的热络,但今年上半年因DRAM供给仍吃紧,导致终端纷纷以超额订单的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升伺服器DRAM的产出比重,供给达成率已转趋饱和。展望第四季,除了伺服器需求出现杂音外,目前由于通路价格持续开低,韩系原厂已率先降低第四季价格标的,预估季跌幅将达5%左右,高于原先预期的2%。

 

与伺服器DRAM产品属性较为相近的PCDRAM同样呈现供过于求,再加上英特尔新平台供货不足影响笔电出货状况,导致PCDRAM第四季价格跌幅也上看5%。利基型的消费型DRAM则受到中美贸易战带来的不确定性因素影响,需求已出现下修,价格也从9月开始下跌,第四季的跌幅更可能超过PCDRAM与伺服器记忆体。

 

占整体供货比重最大的行动式DRAM价格同样呈现下滑趋势。展望第四季,虽然在新款iPhone出货的拉升下,需求逐渐增温,但由于新款机种的定价高于市场预期,销售预估转为保守,因此难以反转DRAM供过于求的态势。预估分离式(discrete)单颗行动式DRAM第四季价格跌幅约在3%,eMCP解决方案则因NANDFlash价格下滑更为快速,整体跌幅可能扩大至8%。

 

第四季各DRAM产品价格走势预估

 

无独有偶,ICInsights在早前发布的报告中称,预计2018年全球七大类芯片产品的市场规模增速为16%,较2017年25%的实际增速有所放缓。报告预计DRAM(动态随机存取存储器)平均售价(以及随后的市场增长)处于或接近其峰值,预计DRAM产品2018年的增速为39%,其2017年的实际增速高达77%。首当其冲的要数两类主流存储器产品。报告预计,DRAM(动态随机存取存储器)产品2018年的增速为39%,而其2017年的实际增速高达77%;NANDFlash(非易失存储器门类之一)产品2018年的预计增速为18%,其2017年的实际增速高达53%。

 

ICInsights认为,平均销售价格的上涨推动了DRAM的市场规模在今年前8个月持续上涨。但ICInsights预计,DRAM平均售价(以及随后的市场增长)处于或接近其峰值,原因是2019年开始,用于产能升级和扩张的资本支出将大幅上升。

 

而据DIGITIMES报道,为了稳定DRAM的价格,三星电子(SamsungElectronics)与SK海力士(SKHynix)有可能弹性调整供给量配合市场需求,避免DRAM价格下跌。但除了国外分析师对市场景气看坏,韩国金融业界也预估两大韩厂会持续扩大DRAM供给量,呼吁厂商暂缓投资。

 

实际上三星电子放慢平泽工厂的DRAM产线扩产速度,考虑采取较保守的供给策略,平泽工厂的剩余投资最快在2018年底才会执行。SK海力士即将启用的M15新厂将以生产NANDFlash为主,DRAM工厂M16预定2019年才会动工。

 

报导分析,三星电子近来调降利润低的移动DRAM生产比重,提高利润高的服务器DRAM供给,DRAM价格缓慢下跌可能受此转换过程影响,并非完全是因为市场普遍认为的供给过剩所造成。

 

专家认为NANDFlash价格下跌虽是影响市场景气的因素,但价格上涨才是反常。厂商的制程、技术愈来愈进步,理应让生产成本与市场价格下跌。

 

韩国金融业界呼吁两大韩厂应减少扩产投资,避免价格过度价跌,认为三星电子应不会进行2018年下半DRAM与NANDFlash的新增产线投资,即便有投资也是小规模水平。SK海力士在第3季执行部分NANDFlash新增投资,DRAM则要到2018年底或2019年初才会有小幅度投资。????


来源:CSIA
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